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2024

芯聞動態(tài)|功率半導體，最新展望

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文章來源：內(nèi)容由半導體芯聞（ID:MooreNEWS）編譯自eetjp

富士經(jīng)濟在 2024 年 4 月宣布，全球功率半導體晶圓市場將在 2035 年增長至10763 億日元，而 2024 年預計為 2813 億日元。特別是，SiC（碳化硅）裸晶圓預計將在 2024 年超過 Si（硅）晶圓的市場規(guī)模，預計將繼續(xù)推動功率半導體晶圓市場。
此次調(diào)查針對硅晶圓、SiC 裸晶圓、SiC 外延晶圓、GaN（氮化鎵）晶圓、氧化鎵晶圓、金剛石晶圓、氮化鋁晶圓、二氧化鍺晶圓等 8 個項目。不過，并未計算氮化鋁晶圓和二氧化鍺晶圓的市場規(guī)模。調(diào)查時間為 2024 年 2 月至 2024 年 3月。
預計 2024 年功率半導體晶圓市場將較 2023 年增長 23.4%。盡管由于硅功率半導體庫存調(diào)整，硅晶圓市場較上年有所下降，但 SiC 裸晶圓卻增長了 56.9%。主要 SiC 裸片廠商紛紛提高產(chǎn)能，業(yè)績超過 Si 晶圓。從 2025 年開始，隨著汽車電氣化的進展，SiC 裸片市場預計將繼續(xù)擴大。硅晶圓市場也有望復蘇。此外，GaN 晶圓直徑的增加以及氧化鎵晶圓的量產(chǎn)也將是因素。此外，金剛石晶圓、氮化鋁晶圓、二氧化鍺晶圓等有望實用化。

我們還按尺寸調(diào)查了功率半導體晶圓的組成比。預計 8 英寸晶圓將繼續(xù)占硅晶圓銷量的 60%以上。12 英寸晶圓越來越多地用于 IGBT 和 MOSFET，尤其是汽車應用功率半導體的需求預計將增加。大多數(shù) SiC 裸晶圓為 6 英寸。雖然這種情況暫時還會持續(xù)，但目前正在開發(fā)的 8 英寸晶圓的成分比預計到 2035 年將達到 13.3%。