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2023
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科普分享 | 半導(dǎo)體加工技術(shù)的歷史、趨勢和演變
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半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷數(shù)字、模擬、工具、制造技術(shù)和材料方面的巨大進步。 芯片開發(fā)在從設(shè)計到生產(chǎn)的各個層面都需要高度精密和復(fù)雜的過程。推進這一過 程需要從建筑設(shè)計到可持續(xù)材料和端到端制造的重大變革,以滿足對半導(dǎo)體不斷 增長的需求。為實現(xiàn)這一目標,業(yè)界正在采用最新技術(shù)來提高高度先進工藝節(jié)點 的效率和產(chǎn)量。
半導(dǎo)體,物聯(lián)網(wǎng)和數(shù)字化轉(zhuǎn)型的支柱
我們正在見證物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、智能設(shè)備和最近的 5G 領(lǐng)域的重大進步。要了 解這些創(chuàng)新將引領(lǐng)我們走向何方,以及我們應(yīng)該對它們有何期待,我們需要對使 這一新的創(chuàng)新浪潮成為可能的基礎(chǔ)技術(shù)有一個基本的了解。隨著半導(dǎo)體技術(shù)驅(qū)動 的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和 5G 的發(fā)展,人工智能的演進將比以往任何時候都更快。在過 去的 30 年里,半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展一直是計算能力增長的原動力。據(jù)說半導(dǎo)體約 占計算硬件成本的 50%。基于半導(dǎo)體技術(shù),人工智能計算設(shè)備與社會的融合將 更加無縫和無孔不入。一個例子是自動駕駛汽車,它使用無處不在的移動邊緣計 算和復(fù)雜的算法來處理和分析駕駛數(shù)據(jù)。基于 5G 通信基礎(chǔ)設(shè)施,人工智能(AI) 和機器學習使用計算機視覺了解周圍場景,然后規(guī)劃和執(zhí)行安全駕駛操作。這使 出行更安全、更智能、更高效。物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備幾乎可以將任何產(chǎn)品變成智能設(shè)備, 從供水系統(tǒng)到服裝。零售、醫(yī)療保健、生命科學、消費品和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)都有很高 的需求。
未來的創(chuàng)新還將使個性化芯片更容易獲得,并使芯片生產(chǎn)更有效,最重要的 是,更具可持續(xù)性。隨著互聯(lián)設(shè)備越來越普遍,物聯(lián)網(wǎng)(IoT)對半導(dǎo)體行業(yè)非 常重要。隨著智能手機行業(yè)停滯不前,半導(dǎo)體行業(yè)必須尋找其他具有增長潛力的 途徑。盡管面臨挑戰(zhàn),物聯(lián)網(wǎng)仍然是該行業(yè)最合乎邏輯的選擇。沒有傳感器和集 成電路,物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用就無法運行,因此所有物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備都需要半導(dǎo)體。多年來推 動半導(dǎo)體行業(yè)增長的智能手機市場已經(jīng)開始趨于平穩(wěn)。物聯(lián)網(wǎng)市場可以為半導(dǎo)體 制造商帶來新的收入,并在可預(yù)見的未來保持半導(dǎo)體行業(yè)以 3%至 4%復(fù)合年增長 率的增長。
半導(dǎo)體的大趨勢和未來機遇
半導(dǎo)體技術(shù)工藝節(jié)點是衡量芯片晶體管和其他組件尺寸的指標。這些年來節(jié) 點的數(shù)量一直在穩(wěn)步增加,導(dǎo)致計算能力相應(yīng)增加。節(jié)點通常意味著不同的電路 世代和架構(gòu)。一般來說,更小的技術(shù)節(jié)點意味著更小的特征尺寸,這會產(chǎn)生更小、 更快、更節(jié)能的晶體管。這種趨勢使我們能夠開發(fā)更強大的計算機和更小尺寸的 設(shè)備。工藝節(jié)點和 CMOS 晶體管性能之間存在關(guān)系。頻率、功率和物理尺寸都受 工藝節(jié)點選擇的影響。這就是了解半導(dǎo)體工藝如何隨時間演變的重要性的原因。 半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點的歷史可以追溯到 20 世紀 70 年代,當時英特爾發(fā)布了第一款微 處理器 4004。從那時起,由于半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點尺寸的進步,我們看到計算能力 呈指數(shù)級增長。這使我們能夠創(chuàng)造出更小、功能更強大的設(shè)備,例如智能手機、 平板電腦和可穿戴設(shè)備。Apple A15 Bionic 是當今大多數(shù) Apple 最新產(chǎn)品的核心, 采用 7 納米節(jié)點技術(shù)的近 40 億個工作晶體管。
工藝節(jié)點在半導(dǎo)體技術(shù)中的作用
半導(dǎo)體節(jié)點是決定微控制器性能的關(guān)鍵因素。隨著技術(shù)的進步,每個微控制 器中的節(jié)點數(shù)量不斷增加。這一趨勢在過去幾年中已經(jīng)觀察到,預(yù)計今后將繼續(xù) 下去。技術(shù)節(jié)點(也稱為工藝節(jié)點、工藝技術(shù)或簡稱為節(jié)點)是指特定的半導(dǎo)體制 造工藝及其設(shè)計規(guī)則。不同的節(jié)點通常意味著不同的電路世代和架構(gòu)。一般來說, 工藝節(jié)點越小,特征尺寸越小,晶體管越小,速度越快,越節(jié)能。歷史上,工藝 節(jié)點名稱指的是晶體管的許多不同特性,包括柵極長度和 M1 半節(jié)距。最近,由 于各種營銷活動和代工廠之間的分歧,這個數(shù)字本身已經(jīng)失去了它曾經(jīng)擁有的確 切含義。較新的技術(shù)節(jié)點,如 22 納米、16 納米、14 納米和 10 納米,僅指采用 特定技術(shù)制造的特定世代芯片。它不對應(yīng)于柵極長度或半間距。盡管如此,命名 約定還是得到了尊重,這就是主要代工廠對節(jié)點的稱呼。
早期的半導(dǎo)體工藝有任意的名稱,例如,HMOS III,CHMOS V。后來,每個 新一代工藝都被稱為技術(shù)節(jié)點或工藝節(jié)點,以工藝晶體管的納米(或歷史上的 1 微米)工藝的最小特征尺寸來表示柵極長度,例如“90 納米工藝”。然而,自 1 994 年以來,情況發(fā)生了變化,用于命名工藝節(jié)點的納米數(shù)已成為一個營銷術(shù)語, 與實際特征尺寸或晶體管密度(每平方毫米的晶體管數(shù)量)無關(guān)。
技術(shù)節(jié)點流程的演變
本質(zhì)上,技術(shù)節(jié)點是對應(yīng)于晶體管的物理特征尺寸。最初,每個微控制器都 是由晶體管組成的,晶體管基本上是控制電流流動的開關(guān),允許微控制器執(zhí)行其 邏輯功能。諸如 28 納米或 65 納米的技術(shù)節(jié)點指的是可以繪制在布局上的最小數(shù) 據(jù)圖形特征(半個間距或柵極長度)。然而,技術(shù)節(jié)點的命名沒有標準化。諸如 28 nm 或 65 nm 之類的節(jié)點名稱實際上來自傳統(tǒng)平面 MOSFET 配置中所示的晶 體管的最小柵極長度。一般來說,技術(shù)節(jié)點給出了晶體管在每平方毫米基板上的 密集程度。從 22 納米技術(shù)開始,該技術(shù)已經(jīng)轉(zhuǎn)向鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET), 其中 FinFET 后面的架構(gòu)是三維配置,并且柵極長度的術(shù)語不再適合描述工藝技 術(shù)。如今,隨著技術(shù)從平面結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)向 FinFET 或全柵極 FET(GAA FET),10 和 5 納米等技術(shù)節(jié)點不再對應(yīng)于任何柵極長度或半間距距離。
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